на первый
заказ
Курсовая работа на тему: Данной курсовой работе требуется рассчитать элементы П-образной эквивалентной схемы транзистора
Купить за 350 руб.Введение
Инженер по эксплуатации радиоэлектронных систем должен знать принципы их работы, применения и повседневного обслуживания. Успешное выполнение этих задач невозможно без знания элементной базы этих систем и, в первую очередь, наиболее сложной и ответственной части элементной базы - транзисторов и интегральных микросхем.Широкое применение получили дрейфовые транзисторы, основной особенностью которых является неравномерное распределение примесей в базе. Такое распределение примесей в базовом слое транзистора приводит к образованию электрического поля, увеличивающего скорость движения носителей. При этом перенос носителей осуществляется не только за счет диффузии, но также и за счет дрейфа носителей в электрическом поле.
Дрейфовые транзисторы имеют более высокие предельные частоты, в них легче получить одновременно малые высокочастотные сопротивления базы, малые ёмкости коллекторного перехода и высокие пробивные напряжения коллектора. При изготовлении дрейфовых транзисторов для образования р-n переходов используется технология диффузии примесей. Поэтому дрейфовые транзисторы часто называют диффузионными (по методу образования р-n переходов).
Дрейфовые транзисторы были предложены в 1953 году, а особенно широко применяются с 1956 года. В настоящее время разработан ряд технологических методов их изготовления, и эти транзисторы выпускаются с хорошими частотными свойствами и значительными рассеваемыми мощностями.
Предельные частоты высокочастотных дрейфовых транзисторов примерно в 10 раз превосходят предельные частоты транзисторов с однородным распределением примесей в базовой области. Кроме того, рассеиваемая мощность высокочастотных дрейфовых транзисторов при больших предельных частотах может во много раз превосходить мощность бездрейфовых транзисторов.
Физические процессы в дрейфовом транзисторе значительно отличаются от процессов в обычном (бездрейфовом) плоскостном транзисторе.
Оглавление
- Введение- Анализ технического задания
- Расчетная часть
- Расчет дрейфового поля транзистора
- Расчет
- Расчет сопротивлений транзистора
- Расчет зарядных емкостей транзистора
- Расчет максимальной частоты
- Расчет Y-параметров для схемы с ОЭ
- Эквивалентные П-образные схемы
- Эквивалентная П-образная схема на НЧ для включения с ОЭ
- Эквивалентная П-образная схема на ВЧ для включения с ОЭ
- Зависимость максимальной частоты от напряжения коллектор-эмиттер
- Конструкторско-технологическая часть
- Структура транзистора
- Описание технологии получения дрейфового транзистора Заключение
- Перечень ссылок
или зарегистрироваться
в сервисе
удобным
способом
вы получите ссылку
на скачивание
к нам за прошлый год